סמסונג ממשיכה להיאבק בתהליך ייצור השבבים בגודל 3 ננומטר, עם תשואות נמוכות במיוחד של כ-20% בלבד בדור השני של הטכנולוגיה. כעת החברה מפנה את תשומת הלב לפיתוח שבבים בגודל 2 ננומטר, בניסיון להתחרות בענקית TSMC ולהחזיר לעצמה נתח שוק.

סמסונג בחרה להשתמש בטכנולוגיית Gate-All-Around (GAA) בייצור שבבי 3 ננומטר, טכנולוגיה המאפשרת ביצועים גבוהים יותר וצריכת חשמל מופחתת בזכות תכנון ייחודי של טרנזיסטורים. לעומת זאת, TSMC עדיין משתמשת בטכנולוגיית FinFET הוותיקה יותר, שתוחלף ב-GAA רק בשנת 2025 עם המעבר שלה לייצור שבבים בגודל 2 ננומטר.

למרות היתרון הטכנולוגי, בעיות התשואה של סמסונג פוגעות בתחרותיות שלה. תשואה היא אחוז השבבים התקינים שניתן להפיק מגליל סיליקון יחיד. בתהליך הייצור של דור ראשון של 3 ננומטר, סמסונג הצליחה להגיע לתשואה של 50%-60%, אך בדור השני התשואה ירדה ל-20% בלבד. מספר זה נמוך משמעותית מהמצופה, והופך את ייצור השבבים לבלתי משתלם עבור מעצבי שבבים שאין להם רצון לשאת בעלויות הייצור הגבוהות.

בעקבות האתגרים, סמסונג מתקדמת לעבר פיתוח שבבים בגודל 2 ננומטר. על פי דיווחים, החברה עובדת על שבב Exynos חדש בקוד שם "Ulysses", שייוצר בתהליך SF2P בגודל 2 ננומטר. השבב עשוי להופיע בדגמי ה-Galaxy S27 בשנת 2027. המעבר צפוי להציג הזדמנות חדשה לשיפור תדמיתה בשוק השבבים, אך היא תצטרך להתמודד עם אתגרים משמעותיים כדי להתחרות במובילת השוק TSMC.

עוד ב-

הכוח שמאחורי הגלקסי S25: קוואלקום חושפת את שבב הדגל החדש

לכתבה המלאה

בעיות התשואה של סמסונג פגעו ביכולתה להתחרות ב-TSMC, שכבר זכתה בחוזים לייצור מעבדים כמו Snapdragon 8 Elite עבור דגם ה-Galaxy S25 Ultra בשנה הבאה. גם יצרניות שבבים מקוריאה הדרומית, שבעבר הסתמכו על סמסונג, פונות כעת ל-TSMC כחלופה אמינה יותר.