סמסונג מתכננת שדרוג משמעותי לדגם הבסיס של סדרת ה-Galaxy S25, שצפויה להיות מושקת בינואר הקרוב. השדרוג הבולט ביותר הוא הגדלת זיכרון ה-RAM ל-12GB, שיפור של 50% בהשוואה ל-8GB בדגם הבסיס של ה-Galaxy S24.

דגם הבסיס של ה-Galaxy S25, המיועד לשוק הדרום-קוריאני, זוהה במאגר המידע של Geekbench ומאובזר במעבד Snapdragon 8 Elite החדש. המעבד כולל שמונה ליבות – שתיים מהן במהירות 4.47GHz – ומציע שיפור של 15% בביצועי ליבה בודדת ושיפור של 30% בביצועים מרובי ליבות בהשוואה לדגם הקודם. המכשיר יפעל עם מערכת ההפעלה Android 15 וממשק המשתמש One UI 7.0.

דגמי ה-Galaxy S25+ וה-Galaxy S25 Ultra יגיעו גם הם עם 12GB RAM, כאשר דגם ה-Ultra יכלול אף אפשרות ל-16GB RAM, המיועדת למשתמשים הזקוקים לעוצמה נוספת לצורכי מולטיטסקינג ושימושים כבדים. למרות שסמסונג תכננה לשלב את מעבד Exynos 2500 במדינות מסוימות, דווח לאחרונה כי המעבד סובל מתפוקה נמוכה (Yield), ולכן הוחלט להשתמש באופן בלעדי במעבד Snapdragon 8 Elite בכל סדרת ה-S25.